大家知道制作超纯氧气的方法有什么呢？相信很多人都不知道吧，那么接下来就让小编为大家做一个详细的介绍吧。我们一起来看一下吧。
首先按照摩尔比1:1比例取出浓度大于99.9%，粒度小于500微米的硅粉和碳粉，然后进行两次合成。在初次合成步骤中，将所取硅粉和碳粉混合均匀放入坩埚中，再将坩埚置于中频感应加热炉，并对加热炉的生长室抽真空，除去其中的氧气和氮气，同时将温度升高至1000摄氏度。然后向生长室中充入高纯度的氦气和氢气的混合气体，加热至1500摄氏度，保持反应时间15分钟，而后降至室温，后将反应后的产物中大于1厘米的团聚物碾成小于1毫米的粉末。
在二次合成步骤中，将上述产物粉末混合均匀重新放入坩埚，并将坩埚再次置于中频感应加热炉，抽真空环境，升高温度到1000摄氏度，通入氦气和氢气的混合气体。然后升高温度到1600摄氏度到2000摄氏度，保持反应合成时间2小时到10小时，再降至室温。通过这两步即可以得到粒度小于20微米的适用于半导体碳化硅硅单晶生长的高纯碳化硅粉，采用粉末衍射法(XRD)对初次合成和二次合成产物进行物相分析，得到的XRD如图1所示，通过分析可以发现初次合成粉末有硅和碳的单质剩余，而二次合成则可以使得反应更加完全，得到纯度更高的碳化硅。
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在医辽领域，高纯氧气堪称生命的 “守护者”。
对于呼吸系统疾病患者，如慢性阻塞性肺疾病、患者等，补充超纯氧气能有效缓解呼吸困难症状，改善身体的缺氧状态，维持各的正常功能。在手术过程中，状态下的患者呼吸功能减弱，超纯氧气的持续供应至关重要，保障患者在手术期间的生命体征稳定。对于和新生儿，由于他们的呼吸系统发育不完善，充足的超纯氧气供应是呵护其健康成长的重要保障，助力他们顺利度过生命初期的关键阶段。
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超纯氧气和普通氧气区别？
超纯氧气和普通氧气主要在纯度上有区别。超纯氧气的纯度通常在99.99%以上，而普通氧气纯度一般在99%左右。高纯氧气杂质含量极低，几乎不含水分、二氧化碳、氮气等杂质，这使得它在一些对氧气纯度要求很高的场合，如电子芯片制造等能够发挥关键作用，避免杂质对产品或产生不良影响。普通氧气则适用于一些对纯度要求不那么苛刻的场景，如一般的工业燃烧等。
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